Adesto Technologies 的 DataFlash "E" 系列是全新系列非易失性存储器器件，具有较低的功率要求和智能特性，系统效率更高、成本更低。 DataFlash E 系列具有多种特性和选项，包括多种行业第一的特性，如宽 VCC 电压和“超深度省电”模式。 E 系列产品还包括全新的“智能”特性，从而提高了如高效“字节写”之类系统性能，不需要大块擦除和行业标准的“擦除-编程-挂起-恢复”指令。

字节写：串行闪存器件中真正的串行 E2PROM 功能

采用Adesto公司的DataFlash E 系列非易失性存储器器件后，编程器可发一个单软件指令即可擦除/写入。 这与标准串行闪存产品不同，后者需要 4 Kb 的块擦除。 这意味着减少了主机控制器对存储器进行管理的需要，释放出资源用于为更高优先级操作。 较少的存储器管理同时还意味着控制器的 SRAM 中的软件占用空间更小，这样给设计师带来了灵活性，可使用更小的微控制器，或放弃外部 SRAM。

超深度省电模式

该 E 系列产品具有最大节能效果，通过简单的软件指令即可进入超深度省电模式。 E 系列所提供的省电模式仅消耗纳安级的电流，能效优于其它竞争产品一个数量级以上。 省电模式的软件控制能够让设计师免除使用额外的硬件元件，如低压差稳压器 (LDO) 或氮化镓晶体管。

扩展 VCC 工作电压

对于移动或电池供电的设备，DataFlash E 系列不经调压即可运行，从而最大限度地提升从 1.65 V 至 3.6 V 不间断的电池寿命。 相对标准 VCC 零件，扩展电压范围能够延长电池寿命高达 1000%，同时削减了低压差稳压器 (LDO) 的成本。

低功耗读

对于在更小、更慢型 MCU/CPU 上运行且在高 MHz 范围内运行的应用，DataFlash 现在支持低功耗读指令，在时钟频率低于 10 MHz 时，通常比标准读命令可节省 20% 的电力。

E 系列包括各种存储密度，非常适合数字语音、图像、程序代码、数据存储和其它存储器应用。

Adesto的DataFlash E 系列非易失性存储器器件特性：

1 Mbit 至 64 Mbit 密度

小型页阵列架构

扩展 VCC 工作电压，连续 1.65 V 至 3.6 V 和 2.3 V 至 3.6 V

业界首个串行闪存单指令字节擦除-修改-写操作

每个元件具有 256/264 或 512/528 字节的可单独擦除的页

双重片载独立式 SRAM 缓冲区

SRAM 缓冲区大小与闪存页大小相同

丰富的指令集，降低了 CPU 开销

增强型低功耗读操作

零功耗关断选择：< 500 nA 待机模式

软件复位功能

用于并发读/写操作的擦除-编程-挂起-恢复指令

104 MHz、85 MHz SPI、双通道和四通道 I/O 支持

单扇区保护和 ‘OTP’ 扇区锁定

128 字节 OTP 安全寄存器

每页最少可擦写 100,000 次

JEDEC 制造商和器件 ID 标准